Антава

IXYS

Транзистор IXYH24N170CV1

IXYH24N170CV1
Type of transistor
IGBT
Технология
XPT™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
24 A
Рассеиваемая мощность
500 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH24N170CV1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияXPT™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current24 A
Рассеиваемая мощность500 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current140 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge96nC
Kind of packagetube
Turn-on time47ns
Turn-off time336ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 24A; 500W; TO247-3

Документация

Документ производителя