Антава

IXYS

Транзистор IXYH16N250CV1HV

IXYH16N250CV1HV
Type of transistor
IGBT
Технология
XPT™
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
16 A
Рассеиваемая мощность
500 W
Корпус
TO247HV

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXYH16N250CV1HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияXPT™
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current16 A
Рассеиваемая мощность500 W
КорпусTO247HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current126 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge97nC
Kind of packagetube
Turn-on time39ns
Turn-off time541ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247HV

Документация

Документ производителя