Антава

IXYS

Транзистор IXYH12N250CV1HV

IXYH12N250CV1HV
Type of transistor
IGBT
Технология
XPT™
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
12 A
Рассеиваемая мощность
310 W
Корпус
TO247HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH12N250CV1HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияXPT™
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current12 A
Рассеиваемая мощность310 W
КорпусTO247HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Turn-on time32ns
Turn-off time333ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 12A; 310W; TO247HV

Документация

Документ производителя