Антава

IXYS

Транзистор IXYH12N250C

Type of transistor
IGBT
Технология
XPT™
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
12 A
Power dissipation
310 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH12N250C
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияXPT™
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current12 A
Power dissipation310 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current48 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Turn-on time12ns
Turn-off time167ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 12A; 310W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.