Антава

IXYS

Транзистор IXYH10N170CV1

IXYH10N170CV1
Type of transistor
IGBT
Technology
XPT™
Collector-emitter voltage
1.7kV
Collector current
10A
Power dissipation
280W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXYH10N170CV1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyXPT™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current10A
Power dissipation280W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current84A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Turn-on time21ns
Turn-off time260ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 10A; 280W; TO247-3

Документация

Документ производителя