Антава

IXYS

Транзистор IXYB82N120C3H1

IXYB82N120C3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
82 A
Рассеиваемая мощность
1.04 kW
Корпус
PLUS264™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYB82N120C3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current82 A
Рассеиваемая мощность1.04 kW
КорпусPLUS264™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current320 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge215nC
Kind of packagetube
Turn-on time119ns
Turn-off time295ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.04kW; PLUS264™

Документация

Документ производителя