Антава

IXYS

Транзистор IXYA8N90C3D1

IXYA8N90C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
8 A
Power dissipation
125 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYA8N90C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage900 V
Collector current8 A
Power dissipation125 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current48 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.3nC
Kind of packagetube
Turn-on time39ns
Turn-off time238ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263

Документация

Документ производителя