Антава

IXYS

Транзистор IXYA8N250CHV

IXYA8N250CHV
Type of transistor
IGBT
Technology
XPT™
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
8 A
Power dissipation
280 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXYA8N250CHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyXPT™
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current8 A
Power dissipation280 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current70 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of packagetube
Turn-on time24ns
Turn-off time328ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO263

Документация

Документ производителя