Антава

IXYS

Транзистор IXYA60N65A5

IXYA60N65A5
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Power dissipation
395 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYA60N65A5
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Power dissipation395 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current260 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge128nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.