Антава

IXYS

Транзистор IXYA50N65C5

IXYA50N65C5
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Power dissipation
650 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYA50N65C5
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Power dissipation650 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current240 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge117nC
Kind of packagetube
Turn-off time170ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.