Антава

IXYS

Транзистор IXYA50N65C3-TRL

IXYA50N65C3-TRL
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
132 A
Рассеиваемая мощность
600 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYA50N65C3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current132 A
Рассеиваемая мощность600 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current250 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge86nC
Kind of packagereel, tape
Turn-off time90ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.