Антава

IXYS

Транзистор IXYA30N120A4HV

IXYA30N120A4HV
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
106 A
Power dissipation
500 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYA30N120A4HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current106 A
Power dissipation500 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current184 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 106A; 500W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.