Антава

IXYS

Транзистор IXYA20N65C3D1

IXYA20N65C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
20 A
Power dissipation
200 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 125 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%648,92 ₽

Сумма · с НДС 22%648,92 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1648,92 ₽
от 3582,90 ₽
от 10516,87 ₽
от 50464,05 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXYA20N65C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current20 A
Power dissipation200 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current105 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Turn-on time51ns
Turn-off time132ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263

Документация

Документ производителя