Антава

IXYS

Транзистор IXYA20N120A4HV

IXYA20N120A4HV
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
80 A
Power dissipation
375 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYA20N120A4HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current80 A
Power dissipation375 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current135 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 375W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.