Антава

IXYS

Транзистор IXYA15N65C3D1

IXYA15N65C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
15 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 148 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%563,54 ₽

Сумма · с НДС 22%563,54 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1563,54 ₽
от 3509,06 ₽
от 10447,07 ₽
от 50403,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXYA15N65C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current15 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagetube
Turn-on time36ns
Turn-off time102ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263

Документация

Документ производителя