Антава

IXYS

Транзистор IXXX300N60B3

IXXX300N60B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
300 A
Power dissipation
2.3 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXX300N60B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current300 A
Power dissipation2.3 kW
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.14kA
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge460nC
Kind of packagetube
Turn-on time137ns
Turn-off time430ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 300A; 2.3kW; PLUS247™

Документация

Документ производителя