Антава

IXYS

Транзистор IXXX160N65C4

Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
160 A
Power dissipation
940 W
Корпус
PLUS247™

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXXX160N65C4
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current160 A
Power dissipation940 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current320 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge422nC
Kind of packagetube
Turn-on time52ns
Turn-off time197ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™

Документация

Документы пока не предоставлены.