Антава

IXYS

Транзистор IXXX110N65B4H1

IXXX110N65B4H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
110 A
Рассеиваемая мощность
880 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXX110N65B4H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current110 A
Рассеиваемая мощность880 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current570 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge183nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™

Документация

Документ производителя