Антава

IXYS

Транзистор IXXR100N60B3H1

IXXR100N60B3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
100 A
Power dissipation
400 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXR100N60B3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current100 A
Power dissipation400 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current440 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge143nC
Kind of packagetube
Turn-on time92ns
Turn-off time350ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 400W; PLUS247™

Документация

Документ производителя