Антава

IXYS

Транзистор IXXQ30N60B3M

IXXQ30N60B3M
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
19 A
Рассеиваемая мощность
90 W
Корпус
TO3PF
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXQ30N60B3M
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current19 A
Рассеиваемая мощность90 W
КорпусTO3PF
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current140 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of packagetube
Turn-on time57ns
Turn-off time292ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF

Документация

Документ производителя