Антава

IXYS

Транзистор IXXP12N65B4D1

IXXP12N65B4D1
Type of transistor
IGBT
Technology
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
12A
Power dissipation
160W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXXP12N65B4D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650V
Collector current12A
Power dissipation160W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current70A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge34nC
Kind of packagetube
Turn-on time44ns
Turn-off time245ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3

Документация

Документ производителя