Антава

IXYS

Транзистор IXXP12N65B4

IXXP12N65B4
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
38 A
Power dissipation
160 W
Корпус
TO220-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXP12N65B4
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current38 A
Power dissipation160 W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 38A; 160W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.