Антава

IXYS

Транзистор IXXN200N60C3H1

IXXN200N60C3H1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
0.6 kV
Collector current
98 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXN200N60C3H1
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage0.6 kV
Collector current98 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1kA
Рассеиваемая мощность780 W
ТехнологияGenX3™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 780W

Документация

Документ производителя