Антава

IXYS

Транзистор IXXN110N65C4H1

IXXN110N65C4H1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
650 V
Collector current
110 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXN110N65C4H1
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage650 V
Collector current110 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current470 A
Рассеиваемая мощность750 W
ТехнологияGenX3™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B

Документация

Документ производителя