Антава

IXYS

Транзистор IXXK200N60B3

IXXK200N60B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
200 A
Рассеиваемая мощность
1.63 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXK200N60B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current200 A
Рассеиваемая мощность1.63 kW
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current900 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge315nC
Kind of packagetube
Turn-on time140ns
Turn-off time395ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1.63kW; TO264

Документация

Документ производителя