Антава

IXYS

Транзистор IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
110 A
Рассеиваемая мощность
880 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 290 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%5 313,85 ₽

Сумма · с НДС 22%5 313,85 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15 313,85 ₽
от 34 873,37 ₽
от 54 577,22 ₽
от 104 125,50 ₽
от 253 600,67 ₽
от 503 332,64 ₽
от 1003 163,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXXK110N65B4H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current110 A
Рассеиваемая мощность880 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current570 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge183nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264

Документация

Документ производителя