Антава

IXYS

Транзистор IXXH80N65B4D1

IXXH80N65B4D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Power dissipation
625 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXH80N65B4D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Power dissipation625 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current430 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Turn-on time125ns
Turn-off time222ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3

Документация

Документ производителя