Антава

IXYS

Транзистор IXXH80N65B4

IXXH80N65B4
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
80 A
Power dissipation
625 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 239 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 012,82 ₽

Сумма · с НДС 22%2 012,82 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 012,82 ₽
от 101 367,49 ₽
от 301 254,17 ₽
от 601 183,11 ₽
от 1201 110,12 ₽
от 1501 087,07 ₽
от 3001 017,93 ₽
от 510962,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXXH80N65B4
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current80 A
Power dissipation625 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current430 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Turn-on time125ns
Turn-off time222ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3

Документация

Документ производителя