IXYS

Транзистор IXXH75N60B3

Фото уточняется

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600 V
Collector current: 160 A
Power dissipation: 750 W
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXXH75N60B3
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	600 V
Collector current	160 A
Power dissipation	750 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	300 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	107nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 160A; 750W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.