Антава

IXYS

Транзистор IXXH60N65C4

IXXH60N65C4
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Power dissipation
536 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXXH60N65C4
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Power dissipation536 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current260 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Turn-on time110ns
Turn-off time164ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3

Документация

Документ производителя