IXYS
Транзистор IXXH60N65C4
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- GenX4™, Trench, XPT™
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 60 A
- Power dissipation
- 536 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | IXXH60N65C4 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | GenX4™, Trench, XPT™ |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 60 A |
| Power dissipation | 536 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 260 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 86nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 110ns |
| Turn-off time | 164ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.