Антава

IXYS

Транзистор IXXH60N65B4H1

IXXH60N65B4H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
60 A
Рассеиваемая мощность
536 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 252 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 003,28 ₽

Сумма · с НДС 22%3 003,28 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 003,28 ₽
от 31 900,52 ₽
от 301 779,59 ₽
от 4501 674,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXXH60N65B4H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current60 A
Рассеиваемая мощность536 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current265 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Turn-on time94ns
Turn-off time208ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3

Документация

Документ производителя