Антава

IXYS

Транзистор IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
600 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXH50N60B3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность600 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Turn-on time75ns
Turn-off time320ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3

Документация

Документ производителя