Антава

IXYS

Транзистор IXXH30N65C4D1

IXXH30N65C4D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Power dissipation
230 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXH30N65C4D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Power dissipation230 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current136 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time161ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3

Документация

Документ производителя