Антава

IXYS

Транзистор IXXH30N65B4D1

IXXH30N65B4D1
Type of transistor
IGBT
Technology
GenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
30A
Power dissipation
230W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXXH30N65B4D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyGenX4™, Trench, XPT™
Collector-emitter voltage650V
Collector current30A
Power dissipation230W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current146A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time206ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3

Документация

Документ производителя