Антава

IXYS

Транзистор IXXH30N60B3D1

IXXH30N60B3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
270 W
Корпус
TO247AD
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 290 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 516,51 ₽

Сумма · с НДС 22%1 516,51 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 516,51 ₽
от 51 226,70 ₽
от 101 135,56 ₽
от 301 089,99 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXXH30N60B3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность270 W
КорпусTO247AD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current115 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of packagetube
Turn-on time23ns
Turn-off time125ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD

Документация

Документ производителя