Антава

IXYS

Транзистор IXXH30N60B3

IXXH30N60B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Рассеиваемая мощность
270 W
Корпус
TO247AD

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 224 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 340,67 ₽

Сумма · с НДС 22%1 340,67 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 340,67 ₽
от 31 135,56 ₽
от 10924,86 ₽
от 30861,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXXH30N60B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Рассеиваемая мощность270 W
КорпусTO247AD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current115 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge39nC
Kind of packagetube
Turn-on time23ns
Turn-off time125ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD

Документация

Документ производителя