Антава

IXYS

Транзистор IXXH100N60C3

IXXH100N60C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
100 A
Power dissipation
830 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXH100N60C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage600 V
Collector current100 A
Power dissipation830 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current380 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Turn-on time95s
Turn-off time0.22µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3

Документация

Документ производителя