Антава

IXYS

Транзистор IXXA50N60B3

IXXA50N60B3
Type of transistor
IGBT
Technology
GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage
600V
Collector current
50A
Power dissipation
600W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXXA50N60B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyGenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage600V
Collector current50A
Power dissipation600W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current200A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Turn-on time75ns
Turn-off time320ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263

Документация

Документ производителя