Антава

IXYS

Транзистор IXXA30N65C3HV

IXXA30N65C3HV
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
52 A
Power dissipation
230 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXXA30N65C3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current52 A
Power dissipation230 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current113 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.