Антава

IXYS

Транзистор IXTY90N055T2

IXTY90N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
55 V
Drain current
90 A
Power dissipation
150 W
Корпус
DPAK, TO252AA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTY90N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage55 V
Drain current90 A
Power dissipation150 W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage20 V
On-state resistance8.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time37ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 90A; 150W; DPAK,TO252AA; 37ns

Документация

Документы пока не предоставлены.