Антава

IXYS

Транзистор IXTY64N055T-TRL

IXTY64N055T-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
55V
Drain current
64A
Power dissipation
130W
Корпус
DPAK, TO252AA
Gate-source voltage
20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY64N055T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage55V
Drain current64A
Power dissipation130W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage20V
On-state resistance13mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time30ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 55V; 64A; 130W; DPAK,TO252AA; 30ns

Документация

Документы пока не предоставлены.