Антава

IXYS

Транзистор IXTY64N055T

IXTY64N055T
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
55 V
Drain current
64 A
Power dissipation
130 W
Корпус
DPAK, TO252AA
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTY64N055T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage55 V
Drain current64 A
Power dissipation130 W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time30ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 55V; 64A; 130W; DPAK,TO252AA; 30ns

Документация

Документы пока не предоставлены.