Антава

IXYS

Транзистор IXTY48P05T

IXTY48P05T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-50V
Drain current
-48A
Power dissipation
150W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY48P05T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-50V
Drain current-48A
Power dissipation150W
КорпусTO252
Gate-source voltage±15V
On-state resistance30mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time30ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252

Документация

Документ производителя