Антава

IXYS

Транзистор IXTY44N10T-TRL

IXTY44N10T-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Drain-source voltage
100V
Drain current
44A
Power dissipation
130W
Корпус
DPAK, TO252AA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY44N10T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Drain-source voltage100V
Drain current44A
Power dissipation130W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage30V
On-state resistance30mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time60ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns

Документация

Документы пока не предоставлены.