Антава

IXYS

Транзистор IXTY3N50P

IXTY3N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
3 A
Power dissipation
70 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 31 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%68,64 ₽

Сумма · с НДС 22%68,64 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 168,64 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTY3N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current3 A
Power dissipation70 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns

Документация

Документ производителя