Антава

IXYS

Транзистор IXTY2N65X2-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
2 A
Рассеиваемая мощность
55 W
Корпус
TO252/DPAK
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTY2N65X2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current2 A
Рассеиваемая мощность55 W
КорпусTO252/DPAK
Gate-source voltage30 V
On-state resistance2.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.3nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time137ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 2A; 55W; TO252/DPAK; 137ns

Документация

Документы пока не предоставлены.