Антава

IXYS

Транзистор IXTY2N65X2

IXTY2N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
2 A
Power dissipation
55 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY2N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyX2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current2 A
Power dissipation55 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time137ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252

Документация

Документ производителя