Антава

IXYS

Транзистор IXTY2N100P-TRL

IXTY2N100P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1kV
Drain current
2A
Power dissipation
86W
Корпус
DPAK, TO252AA
Gate-source voltage
20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY2N100P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1kV
Drain current2A
Power dissipation86W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage20V
On-state resistance7.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24.3nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time800ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2A; 86W; DPAK,TO252AA; 800ns

Документация

Документы пока не предоставлены.