Антава

IXYS

Транзистор IXTY26P10T

IXTY26P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-26 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY26P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-26 A
Power dissipation150 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance90 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time70ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252

Документация

Документ производителя