Антава

IXYS

Транзистор IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
1.6 A
Power dissipation
100 W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 331 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%833,79 ₽

Сумма · с НДС 22%833,79 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1833,79 ₽
от 10511,21 ₽
от 30469,71 ₽
от 50456,51 ₽
от 70447,08 ₽
от 560422,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTY1R6N50D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current1.6 A
Power dissipation100 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23.7nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns

Документация

Документ производителя